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晶間腐蝕，局部腐蝕的一種。沿著金屬晶粒間的分界面向內部擴展的腐蝕。

  晶間腐蝕的產生必須具備兩個條件：

        （1）晶界物質的物理化學狀態(tài)與晶粒不同；

        （2）特定的環(huán)境因素。晶間腐蝕常在不銹鋼、鎳基合金、銅合金等合金上發(fā)生，主要在焊接接頭上或經一定熱處理后使用時發(fā)生。晶間腐蝕不僅導致材料的承載能力降低，而且誘發(fā)晶間型應力腐蝕開裂，或引發(fā)點腐蝕。

晶間腐蝕的根本原因是晶粒間界及其附近區(qū)域與晶粒內部存在電化學上的不均勻性，這種不均勻性是金屬材料在熔煉、焊接和熱處理等過程中造成的。例如：（1）晶界析出第二相，造成晶界某一合金成分的貧乏化；（2）晶界析出易于腐蝕的陽極相；（3）雜質與溶質原子在晶界區(qū)偏析；（4）晶界區(qū)原子排列雜亂，位錯密度高；（5）新相析出或轉變，造成晶界處較大的內應力。這些原因均可能構成特定體系的晶間腐蝕機理模型?？傊斈撤N介質與金屬所共同決定的電位下，晶界的溶解電流密度遠大于晶粒本身的溶解電流密度時，便可產生晶間腐蝕。

晶間腐蝕測試可以分為A/B/C/D/E五種方法，常用的檢測標準是GB/T4334-2008和ASTM  A262-2010.